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產品參考圖片
SI4435DYPBF 圖片
SI4435DYPBF
  • 制造廠商：IR（國際整流器公司）
  • 類別封裝：單端場效應管，8-SO
  • 技術參數：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  • （專注銷售IR電子元器件，承諾原裝！現貨當天發(fā)貨�。�
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    技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：SI4435DYPBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2320pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：2.5W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應商器件封裝：8-SO
  • 現在可以訂購SI4435DYPBF，國內庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內發(fā)貨。
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